时间: 2023年05月12日（周五）下午13:00-15:00

地点: 校本部东区12号楼B202

讲座: 硅基多层氮化硅大规模光子集成芯片

演讲者: 陆梁军，副教授，上海交通大学

演讲者简介：陆梁军现为上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室，长聘教轨副教授，博士生导师。主要研究方向为硅基光电子集成芯片及系统应用。主持重点研发计划青年科学家项目、基金委面上、青年项目等9项。在Optica等国内外一流刊物70余篇，持有中国发明专利30余项。研究成果获得2021年华为优秀技术成果奖和2017年中国光学十大进展。入选2023年上海市启明星计划（A类），获得2022年电子系“季寒冰教学基金”教师奖。

讲座摘要：

随着光计算、激光雷达和光传感等新兴应用的蓬勃发展，对硅光芯片的集成规模要求不断提升。然而，硅波导的高线性和非线性损耗、易受加工和环境温度影响等问题限制了芯片的集成规模和应用。氮化硅由于具有较低的折射率和较低的热光学系数，因此与硅具有互补的特性。但是由于缺乏折射率调制机制，氮化硅不适合实现大规模有源芯片。将硅与氮化硅进行三维集成，实现材料融合互补，有望解决上述问题。利用硅-氮化硅三维集成平台，我们实现了超低损耗的波导交叉结、低相位误差的微环谐振器、低温敏感的波导干涉仪等单元器件。在此基础上，实现了大规模光开关阵列芯片、全集成激光雷达芯片和温度不敏感傅里叶变换光谱芯片。通过利用硅-氮化硅三维集成平台，进行多材料融合和三维模场操控，有效提升了设计自由度，为大规模光电子集成芯片提供了一种有效途径。

邀请人：通信与信息工程学院 叶楠副教授

欢迎广大教师和学生参加！